Si MEMS技術を用いることによって、従来のLSIに利用されているCMOS回路だけでは不可能だった加速度、圧力などの物理量を測定することができるセンサデバイスをSi基板上に実現することが可能です。

Siデバイスの試作・量産

　アルバック成膜ULCOATのSi MEMSファンドリーは、単結晶Si基板の結晶異方性エッチングのシミュレーション技術、スティッキングフリー乾燥技術など最先端のMEMS技術を駆使して、ステンシルマスク、静電容量型加速度センサなどの各種Si MEMSデバイスを試作・量産いたします。

　Si基板：6インチΦまで

　アルバック成膜ULCOATは、半導体用Crマスクブランクス、フラットパネルディスプレイ用大型マスクブランクス、カラーフィルター用ブラックマトリクスの生産で培った豊富なガラス基板の加工技術を活用してガラスMEMSの試作・量産に対応いたします。

　μ−TAS、マイクロ化学システム、DNAチップなどの微細なデバイスをガラス基板上に半導体技術を用いて形成します。

　最大370mm × 470mm

　MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）はマイクロマシン、MST（Micro System Technology）とも呼ばれ、半導体技術等を用いてシリコン基板、ガラス基板上に製作されたミクロン以下のサイズの微小なデバイスです。

　Si基板、ガラス基板を用いたMEMSデバイスを実現するため、各種製造プロセスをご提供いたします。

パターン設計

プロセス設計

・各種Si MEMSデバイスの製造プロセスの設計・開発

・ガラス基板上の流体MEMSデバイスの製造プロセスの設計

Si結晶異方性エッチングのシミュレーション

・シミュレーション可能なエッチング液：KOHとTMAHの２種類

レジスト塗布

・ポジレジスト

・ネガレジスト

・MEMS用厚塗りレジスト

両面露光

両面露光装置

・マスク
　5インチ角、6インチ角、9インチ角

・基板
　最大8インチΦもしくは6インチ角

EB露光

EB露光装置

・直接描画

・簡易パターンのフォトマスク形成

・基板サイズ…4〜8インチΦ
　もしくは4〜6インチ

現像

現像装置

・パドル現象

・スピン現象

レジスト剥離

・プラズマアッシャー

・熱硫酸

・有機溶媒

・レジスト剥離液

線幅測定

線幅測長装置

・光学式測長

スパッタリング成膜

	スパッタリング成膜装置

・低欠陥

・応力コントロール

・Au、Pt、Cr、W、Ti、Ni、Al、Al-Si、Si、SiO2、MoSi、ITO 他

熱CVD

・GNF（Graphite Nano Fiber）

加工対象：

・各種ガラス
（水晶、石英、無アルカリガラス、硼珪酸ガラス）基板

　エッチング深さ1μm以上：max:6インチΦ、4インチ角

　エッチング深さ1μm以下：max:5〜6インチ角

硼珪酸ガラス ドライエッチ

・シリコン酸化膜（熱酸化膜、PSG、BPSG）

・各種金属薄膜（Cr、Al、MoSi、Ag他）

・Si基板

・Si深堀りエッチング max　6インチΦ

加工対象：

・各種ガラス（石英、無アルカリガラス、硼珪酸ガラス）基板

・シリコン酸化膜（熱酸化膜、PSG、BPSG）

・単結晶Si基板の結晶異方性エッチング（エッチング液：TMAH、KOH）

・金、白金、Cr、Alなどの各種金属薄膜のウェットエッチング

ウェットエッチングベンチ	硼珪酸ガラス ウェットエッチ

加工方法：

・RCA洗浄

・純水洗浄

加工方法：

・IPAペーパー乾燥

・スピン乾燥

・N2ブロー乾燥

無アルカリガラス、硼珪酸ガラス、石英などの各種ガラス基板の直接接合が可能です。

・無アルカリガラス

・硼珪酸ガラス

・石英

・基板サイズ：最大470mm×250mm

形状観察

・SEM + EDX	・AFM
Scanning Electron Microscopy	Atomic Force Microscopy

・光学顕微鏡

・レーザー顕微鏡

・段差測定機

元素分析

・AES	・顕微ラマン分光
オージェ電子分光	顕微ラマン

電気特性

・シート抵抗

光学特性

・反射率／透過率

・その他

・基板サイズ：最大470mm×250mm